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Ieee Electron Device Letters是工程技術領域的一本權威期刊。由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版。該期刊主要發表工程技術領域的原創性研究成果。創刊于1980年，是工程技術領域中具有代表性的學術刊物。該期刊主要刊載工程技術-工程：電子與電氣及其基礎研究的前瞻性、原始性、首創性研究成果、科技成就和進展。該期刊不僅收錄了該領域的科技成就和進展，更以其深厚的學術積淀和卓越的審稿標準，確保每篇文章都具備高度的學術價值。此外，該刊同時被SCIE數據庫收錄，并被劃分為中科院SCI2區期刊，它始終堅持創新，不斷專注于發布高度有價值的研究成果，不斷推動工程技術領域的進步。
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| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 2區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區 | 否 | 否 |
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 94 / 352 |
73.4% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q1 | 77 / 354 |
78.39% |
| 學科類別 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q1 | 128 / 797 |
84% |
| 大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q1 | 51 / 284 |
82% |
| 年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
| 年發文量 | 393 | 402 | 394 | 419 | 448 | 459 | 417 | 429 | 522 | 477 |
| 國家/地區 | 數量 |
| CHINA MAINLAND | 577 |
| USA | 282 |
| South Korea | 174 |
| Taiwan | 123 |
| Japan | 65 |
| England | 60 |
| India | 49 |
| Belgium | 37 |
| GERMANY (FED REP GER) | 37 |
| France | 32 |
| 機構 | 數量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 84 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 70 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 56 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY | 49 |
| HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY | 48 |
| PEKING UNIVERSITY | 42 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA | 42 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) | 36 |
| IMEC | 35 |
| NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY | 35 |
| 文章名稱 | 引用次數 |
| Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage > 1 kV | 38 |
| An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor | 36 |
| Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O3 MOSFETs | 28 |
| Spin Logic Devices via Electric Field Controlled Magnetization Reversal by Spin-Orbit Torque | 27 |
| Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOSFETs Fabricated by N- and Si-Ion Implantation Doping | 27 |
| beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Transistors With Current Gain Cutoff Frequency of 27 GHz | 26 |
| Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation | 24 |
| 1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field-Plated Ga2O3 MOSFETs | 24 |
| Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diodes With Small-Angle Beveled Field Plates: A Baliga's Figure-of-Merit of 0.6 GW/cm(2) | 23 |
| First Demonstration of a Logic-Process Compatible Junctionless Ferroelectric FinFET Synapse for Neuromorphic Applications | 22 |
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 2.8
SCIE
影響因子 1.5
CiteScore 3.6
SCIE
CiteScore 8.9
SCIE
影響因子 0.5
CiteScore 1.8
SCIE
影響因子 2.2
CiteScore 6.5
SCIE
影響因子 0.4
CiteScore 2.2
SCIE SSCI
影響因子 4.1
CiteScore 7.1
SCIE SSCI
影響因子 0.9
CiteScore 1.5
SCIE SSCI
影響因子 12.5
CiteScore 22.1
SCIE
影響因子 4.5
CiteScore 8.1
若用戶需要出版服務，請聯系出版商：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。