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Progress In Crystal Growth And Characterization Of Materials是材料科學(xué)領(lǐng)域的一本權(quán)威期刊。由Elsevier Ltd出版社出版。該期刊主要發(fā)表材料科學(xué)領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于1978年,是材料科學(xué)領(lǐng)域中具有代表性的學(xué)術(shù)刊物。該期刊主要刊載工程技術(shù)-材料科學(xué):表征與測試及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進(jìn)展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進(jìn)展,更以其深厚的學(xué)術(shù)積淀和卓越的審稿標(biāo)準(zhǔn),確保每篇文章都具備高度的學(xué)術(shù)價(jià)值。此外,該刊同時(shí)被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄,并被劃分為中科院SCI2區(qū)期刊,它始終堅(jiān)持創(chuàng)新,不斷專注于發(fā)布高度有價(jià)值的研究成果,不斷推動(dòng)材料科學(xué)領(lǐng)域的進(jìn)步。
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大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 2區(qū) | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING 材料科學(xué):表征與測試 | 1區(qū) 1區(qū) | 否 | 是 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 2區(qū) | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING 材料科學(xué):表征與測試 | 1區(qū) 2區(qū) | 否 | 是 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 1區(qū) | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING 材料科學(xué):表征與測試 | 1區(qū) 1區(qū) | 是 | 是 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
化學(xué) | 2區(qū) | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING 材料科學(xué):表征與測試 | 1區(qū) 1區(qū) | 是 | 是 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 1區(qū) | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING 材料科學(xué):表征與測試 | 1區(qū) 1區(qū) | 是 | 是 |
大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
材料科學(xué) | 1區(qū) | CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING 材料科學(xué):表征與測試 | 1區(qū) 1區(qū) | 是 | 是 |
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q1 | 4 / 33 |
89.4% |
學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING | SCIE | Q1 | 3 / 38 |
93.4% |
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
學(xué)科:CRYSTALLOGRAPHY | SCIE | Q2 | 13 / 33 |
62.12% |
學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING | SCIE | Q2 | 13 / 38 |
67.11% |
學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
大類:Physics and Astronomy 小類:Condensed Matter Physics | Q1 | 48 / 434 |
89% |
大類:Physics and Astronomy 小類:General Materials Science | Q1 | 84 / 463 |
81% |
年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
年發(fā)文量 | 7 | 3 | 31 | 8 | 6 | 7 | 6 | 9 | 8 | 7 |
國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
GERMANY (FED REP GER) | 4 |
India | 4 |
Russia | 4 |
Italy | 2 |
Japan | 2 |
Poland | 2 |
USA | 2 |
Bulgaria | 1 |
CHINA MAINLAND | 1 |
Czech Republic | 1 |
機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES | 3 |
BAUMAN MOSCOW STATE TECHNICAL UNIVERSITY | 2 |
CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE (CNR) | 2 |
AIXTRON SE | 1 |
ALFEROV UNIV | 1 |
ARIZONA STATE UNIVERSITY | 1 |
BHABHA ATOMIC RESEARCH CENTER (BARC) | 1 |
BIRLA INSTITUTE OF TECHNOLOGY MESRA | 1 |
BULGARIAN ACADEMY OF SCIENCES | 1 |
CZECH ACADEMY OF SCIENCES | 1 |
文章名稱 | 引用次數(shù) |
Solution combustion synthesis, energy and environment: Best parameters for better materials | 36 |
Basic ammonothermal growth of Gallium Nitride - State of the art, challenges, perspectives | 16 |
Sapphire shaped crystals for waveguiding, sensing and exposure applications | 13 |
Surface modification and grafting of carbon fibers: A route to better interface | 9 |
Metalorganic vapor phase epitaxy of III V-on-silicon: Experiment and theory | 8 |
Synthesis and characterization of electrical features of bismuth manganite and bismuth ferrite: effects of doping in cationic and anionic sublattice: Materials for applications | 6 |
FIBSIMS: A review of secondary ion mass spectrometry for analytical dual beam focussed ion beam instruments | 4 |
Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures grown on GaAs for efficient mid-IR emitters | 4 |
Design, growth and characterization of PbTe-based thermoelectric materials | 4 |
Growth and characterization of two-dimensional crystals for communication and energy applications | 1 |
SCIE
CiteScore 2
SCIE
影響因子 15.3
CiteScore 21.9
SCIE
CiteScore 0.1
SCIE
CiteScore 10.3
SCIE
影響因子 0.8
CiteScore 1.3
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影響因子 14.8
CiteScore 13.8
SCIE
SCIE
影響因子 0.6
CiteScore 1.4
SCIE
影響因子 1.7
SCIE
影響因子 12.6
CiteScore 17.8
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