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Npj 2d Materials And Applications是材料科學(xué)領(lǐng)域的一本權(quán)威期刊。由Springer Nature出版社出版。該期刊主要發(fā)表材料科學(xué)領(lǐng)域的原創(chuàng)性研究成果。創(chuàng)刊于2017年，是材料科學(xué)領(lǐng)域中具有代表性的學(xué)術(shù)刊物。該期刊主要刊載Engineering-Mechanics of Materials及其基礎(chǔ)研究的前瞻性、原始性、首創(chuàng)性研究成果、科技成就和進(jìn)展。該期刊不僅收錄了該領(lǐng)域的科技成就和進(jìn)展，更以其深厚的學(xué)術(shù)積淀和卓越的審稿標(biāo)準(zhǔn)，確保每篇文章都具備高度的學(xué)術(shù)價值。此外，該刊同時被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄，并被劃分為中科院SCI2區(qū)期刊，它始終堅持創(chuàng)新，不斷專注于發(fā)布高度有價值的研究成果，不斷推動材料科學(xué)領(lǐng)域的進(jìn)步。
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| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 材料科學(xué) | 2區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 2區(qū) 2區(qū) 2區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 材料科學(xué) | 2區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 2區(qū) 2區(qū) 2區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 材料科學(xué) | 2區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 2區(qū) 2區(qū) 2區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 1區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 2區(qū) 2區(qū) 2區(qū) | 是 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 材料科學(xué) | 2區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 2區(qū) 2區(qū) 2區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 材料科學(xué) | 2區(qū) | MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 2區(qū) 2區(qū) 2區(qū) | 否 | 否 |
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q1 | 61 / 438 |
86.2% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q1 | 26 / 140 |
81.8% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q1 | 21 / 179 |
88.5% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q1 | 65 / 438 |
85.27% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q1 | 23 / 140 |
83.93% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q1 | 22 / 179 |
87.99% |
| 學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 大類：Engineering 小類：Mechanical Engineering | Q1 | 22 / 672 |
96% |
| 大類：Engineering 小類：Condensed Matter Physics | Q1 | 16 / 434 |
96% |
| 大類：Engineering 小類：Mechanics of Materials | Q1 | 17 / 398 |
95% |
| 大類：Engineering 小類：General Chemistry | Q1 | 33 / 408 |
92% |
| 大類：Engineering 小類：General Materials Science | Q1 | 44 / 463 |
90% |
| 年份 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 |
| 年發(fā)文量 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 51 | 45 | 92 | 87 | 72 |
| 國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| USA | 44 |
| CHINA MAINLAND | 36 |
| GERMANY (FED REP GER) | 16 |
| Japan | 15 |
| South Korea | 14 |
| Spain | 10 |
| India | 8 |
| France | 7 |
| Ireland | 7 |
| England | 6 |
| 機構(gòu) | 數(shù)量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 16 |
| UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE) | 9 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 9 |
| UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM | 7 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) | 6 |
| NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE | 6 |
| TRINITY COLLEGE DUBLIN | 6 |
| UNIVERSITY OF ILLINOIS SYSTEM | 6 |
| INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE (IISC) - BANGALORE | 5 |
| PENNSYLVANIA COMMONWEALTH SYSTEM OF HIGHER EDUCATION (PCSHE) | 5 |
| 文章名稱 | 引用次數(shù) |
| Exciton physics and device application of two-dimensional transition metal dichalcogenide semiconductors | 103 |
| Dielectric properties of hexagonal boron nitride and transition metal dichalcogenides: from monolayer to bulk | 90 |
| Oxidation stability of Ti3C2Tx MXene nanosheets in solvents and composite films | 45 |
| Two-dimensional materials with piezoelectric and ferroelectric functionalities | 42 |
| Substrate engineering of graphene reactivity: towards high-performance graphene-based catalysts | 28 |
| Quantum confinement-induced semimetal-to-semiconductor evolution in large-area ultra-thin PtSe2 films grown at 400 degrees C | 21 |
| Emerging nanofabrication and quantum confinement techniques for 2D materials beyond graphene | 21 |
| Classifying optical microscope images of exfoliated graphene flakes by data-driven machine learning | 17 |
| Thickness dependent electronic properties of Pt dichalcogenides | 17 |
| Electrical devices from top-down structured platinum diselenide films | 16 |
SCIE
CiteScore 2
SCIE
影響因子 15.3
CiteScore 21.9
SCIE
CiteScore 0.1
SCIE
CiteScore 10.3
SCIE
影響因子 0.8
CiteScore 1.3
SCIE
影響因子 14.8
CiteScore 13.8
SCIE
SCIE
影響因子 0.6
CiteScore 1.4
SCIE
影響因子 1.7
SCIE
影響因子 12.6
CiteScore 17.8
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